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厂商型号

SPD30N03S2L-20 G 

产品描述

MOSFET POWER MOSFET DISCRETE

内部编号

173-SPD30N03S2L-20-G

生产厂商

Infineon Technologies

Infineon Technologies

#1

数量:2500
2500+¥2.347
5000+¥2.229
12500+¥2.137
25000+¥2.079
62500+¥2.012
最小起订量:2500
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#2

数量:4455
1+¥6.373
10+¥5.697
25+¥5.029
100+¥4.526
250+¥3.939
500+¥3.52
1000+¥2.766
最小起订量:1
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SPD30N03S2L-20 G产品详细规格

规格书 SPD30N03S2L-20 G datasheet 规格书
SPD30N03S2L-20 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 30A
Rds(最大)@ ID,VGS 20 mOhm @ 18A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 23µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 19nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 700pF @ 25V
功率 - 最大 60W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

SPD30N03S2L-20 G系列产品

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